Die Schweizer Electronic AG und Infineon Technologies haben eine neue Technologie für Mild-Hybrid-Fahrzeuge entwickelt: das Chip-Embedding von Power-MOSFETs. Die Technologie erhöht laut einer Pressemitteilung die Leistungsfähigkeit von 48-V-Systemen deutlich und verringert gleichzeitig deren Komplexität.
Continental Powertrain hat sich nun als erster Anwender für den Einsatz dieser Technologie entschieden. „Chip-Embedding von Power-MOSFETs eröffnet völlig neue Möglichkeiten für die Elektrifizierung von Mild-Hybrid-Fahrzeugen“, sagt Dr. Rolf Merte, CEO bei Schweizer Electronic. „Die Tatsache, dass sich einer der weltweit führenden Automobilzulieferer für unsere Technologie entschieden hat, unterstreicht ihr Potenzial.“ Beim Chip-Embedding werden die Leistungs-MOSFETs nicht wie bisher auf Platinen gelötet, sondern in diese integriert. „Die damit verbundenen thermischen Vorteile ermöglichen eine deutlich höhere Leistungsdichte, außerdem sind mit eingebetteten Chips noch zuver-lässigere Systeme möglich“, sagt Dr. Frank Findeis, der bei Infineon das Geschäft mit Au-tomotive-MOSFETs verantwortet.
„Unter dem Strich können Systementwickler damit die Leistung eines 48-V-Systems erhöhen oder es kosteneffizienter auslegen.“ Continental Powertrain nutzt die Technologie in einem 48-V-Startergenerator für Fahrzeuge eines großen europäischen Autobauers. „Durch das Chip-Embedding können wir die Leistung im Vergleich zu einem konventionell aufgebauten System um 60 Prozent steigern“, sagt Dietmar Vogt, System Technical Project Leader bei Continental Powertrain.
48-V-Startergeneratoren tragen dazu bei, dass Mild-Hybrid-Fahrzeuge bis zu rund 15 Prozent weniger CO2 ausstoßen als mit konventionellem Antriebsstrang. Mit ihnen kann der Motor häufiger und länger stoppen als bei einem Start-Stopp-System auf 12-V-Basis. Darüber hinaus können sie durch das Boosten beim Beschleunigen die Last des Verbrennungsmotors verringern. Beim Bremsen rekuperieren sie mehr kinetische Energie als ein 12-V-System.
Infineon steuert zu dem neuen Ansatz seine führende MOSFET-Technologie OptiMOS™5 bei, Schweizer seine Embedding-Technologie Smart p² Pack®. Den Start der Massenproduktion planen die Partner für das Jahr 2021.